Samsung disque SSD Série 850 EVO mSATA - 500 Go SATA III

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Les points forts
  • Interface :
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"Prix plancher et performances à couper le souffle grâce à la technologie V-NAND 3D !"

Qu'est ce que la Technologie V-NAND 3D ?

Cette technologie est basée sur une architecture 3D composée de 32 couches verticales de cellules pour doubler la capacité de ses disques durs. Elle permet d'obtenir une plus grande capacité de stockage pour la même finesse de gravure sur des puces à la taille optimisée.

Propulsé par cette technologie de pointe, le Samsung 850 EVO est un monstre de puissance avec une vitesse en lecture jusqu'à 540 Mo/s et un nombre d'opérations par seconde hallucinant de 95 000 (en lecture) !

Technologie TurboWrite : jusqu'à 520 Mo/s en écriture !

Introduite à la sortie du 840 EVO, la technologie TurboWrite va offrir un coup de boost incroyable au 850 EVO. Sur les fichiers de moins de 3 Go, cette technologie Samsung permet quasiment de doubler la vitesse d'écriture (jusqu'à 520 Mo/s) !


Passez à la vitesse supérieure avec le mode RAPID

Vous pouvez booster la performance de lecture / écriture de votre SSD lorsque vous en avez besoin avec le mode RAPID. Tout comme les changements de vitesse dans une voiture, le logiciel Magician vous donne la possibilité d'améliorer les performances de traitement des données en utilisant la mémoire vive de l'ordinateur en tant que cache, offrant des performances 2 fois plus rapides que le mode standard.

Caractéristiques
Informations générales Constructeur Samsung
Référence MacWay DDISAM0113
Modèle MZ-M5E500BW
Performances Mémoire cache disque dur 512 Mo
Débit max lecture 540 Mo/s
Débit max écriture 520 Mo/s
Lecture aléatoire 97000 IOPS
Écriture aléatoire 88000 IOPS
Conception Interne / Externe Interne
Format Format de disque interne mSATA
Interfaces Vitesse Interface SATA III
Capacité Capacité 500 Go
Informations détaillées
• Capacité : 500 Go
• Format : mSATA
• Interface : Serial ATA 6 Gbits/s (SATA III)
• Mémoire cache DRAM : 512 Mo
• Mémoire Flash NAND : Samsung 32 Layer 3D V-NAND
• Contrôleur : Samsung 3-Core MGX Controller
• Sécurité : AES 256 bits
• Lecture Séquentielle : Jusqu'à 540 Mo/s
• Écriture Séquentielle : Jusqu'à 520 Mo/s
• Lecture Aléatoire (4K) : Jusqu'à 97000 IOPS
• Écriture Aléatoire (4K) : Jusqu'à 88000 IOPS
• Consommation en marche : maximum 3,5 W
• Consommation en veille : maximum 50 mW
• Durée de vie (MTBF) : 1,5 millions d'heures
• Résistance aux chocs en fonctionnement : 1500 G
• Résistance aux vibrations : 20-2000 Hz, 20G
• Température en fonctionnement : 0°C à 70°C
• Norme S.M.A.R.T : Oui
• Commande TRIM : Oui
• Garantie : 5 ans

Contenu du colis

• Samsung SSD mSATA 850 EVO 120 Go
• Guide d'utilisation

Configuration requise

• Appareil avec logement mSATA

Incompatibilités

• Incompatible avec un Mac

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