Mémoire RAM PNY Performance 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 PNY

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Capacité: 4 GB
Connecteur: DIMM
Mémoire RAM: 4 GB DDR4
Technologie: DDR4
vitesse: 2666 MHz
Tension: 1.2 V
Latence: CL19

PNY Performance. composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 4 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Latence CAS: 19

Mémoire interne: 4 Go
Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go
Type de mémoire interne: DDR4
Fréquence de la mémoire: 2666 MHz
composant pour: PC/serveur
Latence CAS: 19
Canaux de mémoire: Single-channel
Mémoire de tension: 1.2 V
Type d'emballage: Ampoule
Caractéristiques
Informations générales Constructeur PNY TECHNOLOGIES
Référence MacWay MK00485770
Garanties Garantie Légale Voir les modalités