Si vous êtes passionné d'informatique et d'électronique, si vous êtes à la pointe de la technologie et qu'aucun détail ne vous échappe, achetez Mémoire RAM PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 SODIMMau meilleur prix.
Capacité: 4 GB
Technologie: DDR4
vitesse: 2666 MHz
Tension: 1,2 V
Connecteur: SoDim
Latence: CL19
PNY MN4GSD42666. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 4 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Latence CAS: 19
Mémoire interne: 4 Go
Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go
Type de mémoire interne: DDR4
Fréquence de la mémoire: 2666 MHz
composant pour: Ordinateur portable
Latence CAS: 19
Capacité: 4 GB
Technologie: DDR4
vitesse: 2666 MHz
Tension: 1,2 V
Connecteur: SoDim
Latence: CL19
PNY MN4GSD42666. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 4 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Latence CAS: 19
Mémoire interne: 4 Go
Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go
Type de mémoire interne: DDR4
Fréquence de la mémoire: 2666 MHz
composant pour: Ordinateur portable
Latence CAS: 19
| Informations générales | Constructeur | PNY TECHNOLOGIES |
| Référence MacWay | MK00485449 | |
| Garanties | Garantie Légale | Voir les modalités |