Mémoire RAM PNY MD8GSD42666 8 GB DDR4 2666 Mhz CL19 DIMM PNY

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    janv. 2023
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Capacité: 8 GB
Connecteur: DIMM
288-pin DIMM

Technologie: DDR4
vitesse: 2666 MHz
Tension: 1,2 V
Latence: CL19

PNY MD8GSD42666. composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 8 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Latence CAS: 19

Mémoire interne: 8 Go
Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 8 Go
Type de mémoire interne: DDR4
Fréquence de la mémoire: 2666 MHz
composant pour: PC/serveur
Latence CAS: 19
Mémoire de tension: 1.2 V
Caractéristiques
Informations générales Constructeur PNY TECHNOLOGIES
Référence MacWay MK00485451
Garanties Garantie Légale Voir les modalités